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   金剛石、類(lèi)金剛石薄膜技術(shù)，是指利用各種光學(xué)薄膜制作技術(shù)制作接近天然金剛石和人造單晶金剛石，有些范圍光的吸收率低到 1%;具有很高的硬度、良好的導(dǎo)熱性、耐腐蝕性以及化學(xué)穩(wěn)定性高--1000C(攝氏度)以上仍保持其化學(xué)穩(wěn)定性等特性。類(lèi)金剛石碳(DLC)涂層的主要成分為碳是一種兼有高硬度和優(yōu)異摩擦性能的非晶體硬質(zhì)薄膜，一種非晶亞穩(wěn)態(tài)結(jié)構(gòu)，DLC膜的成份主要指sp3鍵和sp~2鍵，還可能含有一些雜質(zhì)相如C-H等

一、DLC薄膜性能

1、機(jī)械性能:高硬度和高彈性模量、優(yōu)異的耐磨性、低摩擦系

2、DLC膜中氫的含量超過(guò)40%門(mén)限時(shí)能獲得很低的摩擦系數(shù)，但過(guò)多的氫存在將降低膜與基體的結(jié)合力和表面硬度，使內(nèi)應(yīng)力增大。

3、電學(xué)性能:表面電阻高化學(xué)惰性大光學(xué)性能:DLC膜在可見(jiàn)光區(qū)通常是吸收的，在紅外區(qū)具有很高的透過(guò)率

4、穩(wěn)定性;亞穩(wěn)態(tài)的材料，熱穩(wěn)定性很差， 400攝氏度

二、DLC薄膜應(yīng)用

1、機(jī)械應(yīng)用

用于防止金屬化學(xué)腐蝕和劃傷方面，磁介質(zhì)保護(hù)膜

2、電子領(lǐng)域的應(yīng)用

ULSI芯片的制造:光刻電路板的掩膜ULSI的BEOL(線后端)互聯(lián)結(jié)構(gòu)的低K值的材料碳膜和DLC膜交替出現(xiàn)的多層結(jié)構(gòu)構(gòu)造共振隧道效應(yīng)的多量子阱結(jié)構(gòu)DLC可作為平面板場(chǎng)發(fā)射顯示FED的電子發(fā)射器

3.光學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用

用在鍺光學(xué)鏡片上和硅太陽(yáng)能電池上作為減反射膜塑料和聚碳酸脂等低熔點(diǎn)材料組成的光學(xué)透鏡表面抗磨損保護(hù)層DLC膜為性能極佳的發(fā)光材料之一: 光學(xué)隙帶范圍寬，室溫下光致發(fā)光和電致發(fā)光率都很高

4.醫(yī)學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用

在人工心臟瓣膜的不銹鋼或欽合金表面沉積DLC膜能同時(shí)滿足機(jī)械性能、耐腐蝕性能和生物相溶性要求，人工關(guān)節(jié)承受面的抗磨層

三、DLC薄膜制備方法

物理氣相沉積

1、離子束沉積(IBD):采用等離子體濺射石墨靶形成大量的碳離子并通過(guò)電磁場(chǎng)加速使碳離子沉積于基體表面形成DLC膜

2、濺射沉積 特點(diǎn):沉積的離子能量范圍寬，主要分為: 直流濺射、射頻濺射、磁控濺射

3、磁過(guò)濾陰極弧沉積

4、脈沖激光沉積(PLD):

多功能的工藝方法，可以用來(lái)沉積從高溫超導(dǎo)體到硬質(zhì)涂層等多種不同性質(zhì)的材料。